最新資訊深圳市明佳達(dá)電子供應(yīng)IGBT晶體管 IGW30N60H3 600V 高速開(kāi)關(guān)系列第三代 600V HI SPEED SW IGBTIGW30N60H3產(chǎn)品介紹采用 TO247 封裝的高速 600 V、30 A 單通道 TRENCHSTOP? IGBT3 在開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗之間實(shí)現(xiàn)了最佳折衷。該系列的主要特點(diǎn)是具有類似 MOSFET 的關(guān)斷開(kāi)關(guān)行為，…
深圳市明佳達(dá)電子供應(yīng)IGBT晶體管 IGW30N60H3 600V 高速開(kāi)關(guān)系列第三代 600V HI SPEED SW IGBT
IGW30N60H3產(chǎn)品介紹
采用 TO247 封裝的高速 600 V、30 A 單通道 TRENCHSTOP? IGBT3 在開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗之間實(shí)現(xiàn)了最佳折衷。該系列的主要特點(diǎn)是具有類似 MOSFET 的關(guān)斷開(kāi)關(guān)行為，從而實(shí)現(xiàn)了較低的關(guān)斷損耗。
IGW30N60H3產(chǎn)品屬性
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.95 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 60 A
Pd-功率耗散: 187 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: HighSpeed 3
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
IGW30N60H3產(chǎn)品應(yīng)用：
不間斷電源
焊接轉(zhuǎn)換器
帶高頻開(kāi)關(guān)的轉(zhuǎn)換器
時(shí)間：2025-05-08
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時(shí)間：2025-05-08
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