明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)晶體管 IPD06P004N P溝道 MOSFET 60 V 16.4A 63W PG-TO252-3,進(jìn)口原裝,質(zhì)量保證,實(shí)單可詳談 ,有興趣的朋友歡迎致電聯(lián)系陳先生QQ1668527835,電話13410018555,郵箱chen13410018555@163.com!特征? P-通道? 真正的低電阻RDS(開)? 經(jīng)測(cè)試,
明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)晶體管 IPD06P004N P溝道 MOSFET 60 V 16.4A 63W PG-TO252-3,進(jìn)口原裝,質(zhì)量保證,實(shí)單可詳談 ,有興趣的朋友歡迎致電聯(lián)系陳先生QQ1668527835,電話13410018555,郵箱chen13410018555@163.com!
特征
? P-通道
? 真正的低電阻RDS(開)
? 經(jīng)測(cè)試,100%不受影響
? 正常水平
? 增強(qiáng)模式
? 無鉛電鍍;符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
? 符合IEC61249-2-21的無鹵素標(biāo)準(zhǔn)
規(guī)格參數(shù)
FET 類型: P 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 16.4A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 90 毫歐 @ 16.4A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 4V @ 710μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 27 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 1100 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 63W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO252-3
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
公司首頁:737420.cn
時(shí)間:2025-05-14
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