商品名稱:SRAM 存儲器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:TSOP-48
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1500 件
RMLV1616AGSA-4U2是一款16Mb、超低功耗SRAM(超LP SRAM)器件,由Renesas公司推出,它能夠?yàn)楣S自動化(FA)、工業(yè)設(shè)備、智能電網(wǎng)等應(yīng)用提供更出色的可靠性并延長備用電池的使用壽命。
核心參數(shù)
存儲器類型:易失
存儲器格式:SRAM
技術(shù):SRAM - 異步
存儲容量:16Mb
存儲器組織:1M x 16,2M x 8
存儲器接口:并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字,頁:45ns
訪問時(shí)間:45 ns
電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:48-TSOP
性能特點(diǎn)
RMLV1616AGSA-4U2采用瑞薩獨(dú)有的超LP SRAM技術(shù),大幅提升了抗軟失效能力,實(shí)現(xiàn)了更良好的可靠性。在瑞薩超LP SRAM的結(jié)構(gòu)方面,存儲單元中的每個(gè)存儲節(jié)點(diǎn)都結(jié)合了堆疊電容技術(shù),從根本上預(yù)防了軟失效的出現(xiàn)。此外,每個(gè)SRAM單元的負(fù)載晶體管(P溝道)為多晶硅薄膜晶體管(TFT),堆疊于硅基板的N溝道MOS晶體管之上。在硅基板下方僅形成N溝道晶體管,這樣可確保存儲區(qū)內(nèi)不形成寄生晶閘管,并從理論上杜絕閂鎖效應(yīng)。因此,對于需要嚴(yán)格保證高水平可靠性的應(yīng)用環(huán)境(如:工廠自動化、測量設(shè)備、智能電網(wǎng)相關(guān)設(shè)備、交通系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備等)而言,RMLV1616AGSA-4U2超LP SRAM可謂理想之選。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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