作為PSoC 4系列的一部分，CY8C4247AXQ-M485以其高性能、低功耗和豐富的外設支持而著稱。它適合需要高集成度、多功能和靈活配置的應用場景。該器件的封裝形式為TQFP-64（14x14），適用于表面貼裝技術（SMT）?
基本參數
CPU內核?：ARM Cortex-M0
最大主頻?：48MHz
程序存儲容量?：128KB
RAM容量?：16K x 8
I/O數量?：51
ADC位數?：12bit
DAC位數?：8bit或7bit
工作電壓?：1.71V~5.5V?
應用領域
CY8C4247AXQ-M485適用于多種應用領域，包括但不限于：
工業(yè)控制
消費電子
智能家居
醫(yī)療設備
汽車電子
物聯網（IoT）設備等
型號
品牌
封裝
數量
描述
NXP
LQFP-64
22000
ARM 微控制器 - MCU Kinetis E 32 位 MCU、ARM Cortex-M4 內核、128KB 閃存、48MHz、QFP 64
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IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V，8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應用中實現超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150C）高抗短路能力（8 s）寬的dv/dt 可控范圍應用領域IGD08…
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IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V，8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應用中實現超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下：特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150C）高抗短路能力（8 s）寬的dv/dt…
IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應用中實現超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格：IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最…電話咨詢：86-755-83294757
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