商品名稱:電源開關(guān) IC - 配電
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:SOIC-14
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:20000 件
BZS723GW是一款集成了垂直功率 FET 的高壓側(cè)電源開關(guān),提供嵌入式保護(hù)和診斷功能。
BTS723GW 功能概述
待機(jī)電流極低
CMOS 兼容輸入
改進(jìn)的電磁兼容性(EMC)
電感負(fù)載快速消磁
欠壓下性能穩(wěn)定
寬工作電壓范圍
邏輯接地獨立于負(fù)載接地
優(yōu)化的反向電流能力
過載保護(hù)
電流限制
短路保護(hù)
熱關(guān)斷
過壓保護(hù)(包括負(fù)載轉(zhuǎn)儲)
反向電池保護(hù)(帶外部電阻
靜電放電 (ESD) 保護(hù)
漏極開路診斷輸出
關(guān)斷狀態(tài)下的開路負(fù)載檢測
接通狀態(tài)下的熱關(guān)斷反饋
在反向電流情況下,兩個通道的診斷反饋均正常工作
BTS723GW 應(yīng)用
汽車車身控制模塊 (BCM)
中央逆變器解決方案
商用車、工程車和農(nóng)用車 (CAV)
可編程邏輯控制器 (PLC)
BTS723GW 產(chǎn)品屬性
輸出端數(shù)量: 2 Output
輸出電流: 2.9 A
電流限制: 8 A
導(dǎo)通電阻—最大值: 150 mOhms
運(yùn)行時間—最大值: 55 us
空閑時間—最大值: 95 us
工作電源電壓: 7 V to 58 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 105 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-14
系列: Classic PROFET
資格: AEC-Q100
Pd-功率耗散: 3 W
電源電壓-最大: 58 V
電源電壓-最小: 7 V
商標(biāo)名: PROFET
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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