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IXYH85N120A4 1200V XPT? GenX4? IGBT是采用XPT薄晶圓技術(shù)的第四代溝槽IGBT。該超低功耗VSAT IGBT的晶體管的開關(guān)頻率高達(dá)5kHz，根據(jù)降低導(dǎo)通損耗的要求進行優(yōu)化。此器件具有高功率密度和低柵極驅(qū)動要求等優(yōu)勢，工作溫度范圍為-55°C至175°C。

產(chǎn)品規(guī)格：

IGBT 類型：PT

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：300 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：520 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，85A

功率 - 最大值：1150 W

開關(guān)能量：4.9mJ（開），8.3mJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：200 nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：40ns/400ns

測試條件：600V，60A，5歐姆，15V

反向恢復(fù)時間 (trr)：40 ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應(yīng)商器件封裝：TO-247（IXTH）

基本產(chǎn)品編號：IXYH85

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