商品名稱:IXYA20N120A4HV
數(shù)據(jù)手冊:IXYA20N120A4HV.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:TO-263
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IXYA20N120A4HV 溝槽型1200V XPT? GenX4? IGBT采用專有的XPT薄晶圓技術和最先進的第四代 (GenX4?) 溝槽型IGBT工藝研發(fā)而成。該晶體管具有低熱阻、低能耗、快速開關、低拖尾電流和高電流密度等特性。此器件在開關和短路條件下具有出色的耐用性。典型應用包括電池充電器、燈具鎮(zhèn)流器、電機驅動器、功率逆變器、功率因數(shù)校正 (PFC) 電路、開關模式電源、不間斷電源 (UPS) 和電焊機。
產品規(guī)格:
IGBT 類型:PT
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):135 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,20A
功率 - 最大值:375 W
開關能量:3.6mJ(開),2.75mJ(關)
輸入類型:標準
柵極電荷:46 nC
25°C 時 Td(開/關)值:12ns/275ns
測試條件:800mV,20A,10 歐姆,15V
反向恢復時間 (trr):54 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應商器件封裝:TO-263HV
基本產品編號:IXYA20
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域,產品技術特點為高壓、高功率,涵蓋了…
DLA60I1200HA
DLA60I1200HA 是 IXYS 推出的一款 1200V/60A 通用整流器,采用 TO-247-2(TO-247AD) 封裝,適用于高功率整流、工業(yè)電源、電機驅動等應用。IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N溝道功率MOSFET,屬于 HiPerFET? Polar3? 系列,專為高功率開關應用設計。IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達150 kHz的開關能力,電流范圍為66A。高開關速度和低傳導損耗的結合為電源設計人員提供了一種新的高價值開關應用選擇。該產品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),主要用于10-30kHz的開關應用。該產品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.8V…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關損耗。其特點和技術規(guī)格如下:特點經過優(yōu)化用于低開關損耗正熱系數(shù)VCE(sat)國際標準封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅動要求低反向并聯(lián)sonic二…IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關損耗。該產品具有以下主要規(guī)格:IGBT 類型:溝道電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):112 A電…電話咨詢:86-755-83294757
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