商品名稱:NTMTS0D7N04CTXG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NTMTS0D7N04CTXG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-DFNW
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
NTMTS0D7N04CTXG器件是一款采用ON半導(dǎo)體的先進(jìn)Power Trench工藝(結(jié)合屏蔽柵極技術(shù))制造而成的40V N溝道功率MOSFET。該工藝經(jīng)過優(yōu)化,可最大限度地降低導(dǎo)通電阻,另外還采用出色的軟體二極管,可保持卓越的開關(guān)性能。NTMTS0D7N04C具有420A連續(xù)漏極電流 (ID) 和0.67mΩ(最大值)低漏極-源極導(dǎo)通電阻 (RDS(on))。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):65A(Ta),420A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):0.67 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):140 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):9230 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):4.9W(Ta),205W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:8-DFNW(8.3x8.4)
封裝/外殼:8-PowerTDFN
基本產(chǎn)品編號(hào):NTMTS0
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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