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NTMFSC0D9N04CL單N通道40V 功率MOSFET具有超低漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(on))，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗。漏極-源極電壓 (VDSS) 為40V，柵極-源極電壓 (VGS) 為±20V。應(yīng)用包括：交流-直流和直流-直流電源中的同步整流器、電機(jī)開關(guān)和負(fù)載開關(guān)。NTMFSC0D9N04CL N通道MOSFET具有較低的電容和封裝電感，采用雙面冷卻封裝。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：313A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：-

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：143 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：8500 pF @ 20 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：83W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：8-PQFN（5x6）

封裝/外殼：8-PowerTDFN

基本產(chǎn)品編號(hào)：NTMFSC0

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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