AS9F31G08SA-25BIN - 1Gbit、x8 位、3.3V SLC 并行 NAND 閃存存儲器
AS9F31G08SA-25BIN - 產品描述:
AS9F31G08SA-25BIN 是 SLC 并行 NAND 閃存,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。它的 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。該存儲器分為多個可獨立擦除的塊,因此可以在擦除舊數據的同時保留有效數據。
AS9F31G08SA-25BIN - 主要規(guī)格和優(yōu)勢:
3.3V VCC
密度從 1Gb 到 8Gb
快速塊擦除時間典型值低至 3 毫秒
符合 ONFI 1.0 規(guī)范
x8 I/O 接口
可劃分為獨立的可擦除塊
- 允許保留有效數據,同時擦除舊數據
可靠的長期性能
- 100,000 次編程/擦除循環(huán)--每 528 字節(jié)有 4 位 ECC
- 10 年數據保存期
采用 9.0 毫米 x 11.0 毫米 x 1.0 毫米 63 球 FBGA 封裝
可在工業(yè)(-40°C 至 +85°C)和汽車(-40°C 至 +105°C)溫度范圍內使用
符合 RoHS 規(guī)范
型號
品牌
封裝
數量
描述
ISSI
TSOP-48
2000
NAND閃存 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
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AS9F38G08SA-25BIN
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AS9F32G08SA-25BIN - 2Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯 NAND 閃存存儲器AS9F32G08SA-25BIN - 產品屬性:存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術:FLASH - NAND(SLC)存儲容量:4Gb存儲器組織:512M x 8存儲器接口:并聯寫周期時間 - 字,頁:25ns,700s訪問時間:20 ns電壓…AS6C1616C-45TINTR
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