W66BP2NQUAFJ器件是一款2Gb低功耗DDR4 SDRAM，適合支持edge AI的設備。
說明：
LPDDR4是一款低功耗動態(tài)RAM，與LPDDR3芯片相比有顯著改進。就像低功耗類別中的早期迭代一樣，LPDDR4在其時鐘信號的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)。然而，它在不改變時鐘頻率的情況下實現(xiàn)了更大的帶寬，同時比老一代LPDDR單元使用更少的功率。
W66BP2NQUAFJ的規(guī)格：
存儲器類型：易失
存儲器格式：DRAM
技術：SDRAM - Mobile LPDDR4
存儲容量：2Gb
存儲器組織：64M x 32
存儲器接口：LVSTL_11
時鐘頻率：1.6 GHz
寫周期時間 - 字，頁：18ns
訪問時間：3.6 ns
電壓 - 供電：1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V
工作溫度：-40°C ~ 105°C（TC）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：200-TFBGA
供應商器件封裝：200-TFBGA（10x14.5）
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
SK hynix
FBGA-200
1000
Mem-SDRAM-Lpddr4, 16Gb(2Gb), 2Chx16, 3733Mbps, FBGA-200 (15.1X10.1)mm X 1mm Max H
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