NVDS015N15MCT4G - 采用 TO-252-3 封裝的 150V N 溝道屏蔽柵極功率溝槽 MOSFET 晶體管
型號:NVDS015N15MCT4G
封裝:TO-252-3
類型:MOSFET 晶體管
描述:MOSFET - N 通道、屏蔽柵極、功率溝槽 150V
產(chǎn)品概覽
NVDS015N15MCT4G - 采用 DPAK 封裝的汽車功率 MOSFET,專為緊湊型高效設(shè)計而設(shè)計,具有高散熱性能。鷗翼引線可提高板級可靠性能。通過 AEC-Q101 認證的 MOSFET,具有 PPAP 能力,適合汽車應(yīng)用。
產(chǎn)品特性
- 屏蔽門 MOSFET 技術(shù)
- 在 VGS = 10 V、ID = 29 A 時,最大 RDS(on) = 15 m
- 低 RDS(導(dǎo)通),最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
- 低電容,將驅(qū)動器損耗降至最低
- 優(yōu)化柵極電荷,將開關(guān)損耗降至最低
- 通過 AEC-Q101 認證,符合 PPAP 要求
- 符合 RoHS 規(guī)范
典型應(yīng)用
- 用于 48 V 隔離總線的初級側(cè)
- 用于中壓二次應(yīng)用的 SR
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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