NTH4L030N120M3S - 39mOhm、1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管,采用 TO-247-4L 封裝
型號:NTH4L030N120M3S
封裝:TO-247-4
類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管
描述:N 通道 1200V 73A (Tc) 313W (Tc) 通孔 TO-247-4L
產(chǎn)品概述
NTH4L030N120M3S - 新型 1200V M3S 平面 SiC MOSFET 系列針對快速開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)可在負(fù)柵極電壓驅(qū)動和柵極尖峰關(guān)斷的情況下可靠工作。該系列在使用 18V 柵極驅(qū)動時具有最佳性能,但在使用 15V 柵極驅(qū)動時也能很好地工作。
產(chǎn)品特性
TO-247-4L 封裝,采用開爾文源配置
出色的 FOM [ = Rdson * Eoss ]。
超低柵極電荷(QG(tot) = 107 nC)
高速開關(guān),低電容(Coss = 106 pF)
15V 至 18V 柵極驅(qū)動
新型 M3S 技術(shù):29 歐姆 RDS(ON),低 Eon 和 Eoff 損耗
100% 通過雪崩測試
無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范
典型應(yīng)用
- 太陽能逆變器
- 電動汽車充電站
- 不間斷電源(UPS)
- 儲能系統(tǒng)
- SMPS(開關(guān)模式電源)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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