商品名稱:N 溝道 MOSFET
品牌:ON
年份:24+
封裝:LFPAK-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NVMYS021N06CLTWG適用于緊湊和高效設(shè)計(jì)的汽車用功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封裝且具有較高的熱性能。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET,且符合生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序 (PPAP),適用于需要更高板級(jí)可靠性的汽車應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LFPAK-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 27 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 21 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 28 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
系列: NVMYS021N06CL
配置: Single
下降時(shí)間: 1.5 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 37 S
上升時(shí)間: 12 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns
典型接通延遲時(shí)間: 4 ns
應(yīng)用
反向電池保護(hù)
開關(guān)電源
電源開關(guān) - 高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器、H 橋
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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