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MSC080SMA120JS15 MOSFET 和硅 IGBT 解決方案相比，性能更高，同時降低了高壓應(yīng)用的總擁有成本。是一款采用 SOT-227 封裝的 1200 V、80 mΩ SiC MOSFET。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：31A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 15A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：64 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+23V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：838 pF @ 1000 V

功率耗散（最大值）：143W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

供應(yīng)商器件封裝：SOT-227（ISOTOP?）

封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC

應(yīng)用

●光伏逆變器、轉(zhuǎn)換器和工業(yè)電機驅(qū)動器

●智能電網(wǎng)輸配電

●感應(yīng)加熱和焊接

●H/EV 動力總成和電動汽車充電器

●供電和配電

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。