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IRFP3006PBF 功率 MOSFET 系列針對低 RDS（導通）和高電流能力進行了優(yōu)化。這些器件非常適合要求性能和堅固性的低頻應用。全面的產(chǎn)品組合可滿足包括直流電機、電池管理系統(tǒng)、逆變器和直流-直流轉換器在內的廣泛應用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：195A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.5 毫歐 @ 170A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：300 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8970 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）：375W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247AC

封裝/外殼：TO-247-3

應用

● 電池供電應用

● 電動工具

● 直流電機驅動器

● 輕型電動汽車 (LEV)

● SMPS

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