商品名稱:NCV7728DPAR2G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCV7728DPAR2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:24-SSOP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NCV7728DPAR2G是一款具有保護(hù)功能的六角半橋驅(qū)動(dòng)器專為汽車和工業(yè)運(yùn)動(dòng)控制應(yīng)用而設(shè)計(jì),具有獨(dú)立的控制和診斷功能。該器件可在正向、反向、制動(dòng)和高阻抗?fàn)顟B(tài)下運(yùn)行。驅(qū)動(dòng)器通過 16 位 SPI 接口控制并兼容菊花鏈。
功能特點(diǎn)
● 低靜態(tài)電流睡眠模式
● 高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器以半橋方式連接配置
● 集成續(xù)流保護(hù)(LS 和 HS)
● 0.55 A 峰值電流
● RDS(on) = 1(典型值)
● 5 MHz SPI 控制
● 欠壓和過壓鎖定
● 判別故障報(bào)告
● 過流保護(hù)
● 過溫保護(hù)
● 欠載檢測(cè)(HS 和 LS)
● 菊花鏈兼容多個(gè) 8 位設(shè)備
● 16 位幀檢測(cè)
● 用于汽車和其他應(yīng)用的 NCV 前綴要求
● 獨(dú)特的現(xiàn)場(chǎng)和控制變更要求;AEC-Q100認(rèn)證和 PPAP 能力
● 為無鉛器件
應(yīng)用
● 汽車
● 工業(yè)
● 用于 HVAC 應(yīng)用的直流電機(jī)管理
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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