商品名稱:GS-065-030-2-L-MR
數(shù)據(jù)手冊:GS-065-030-2-L-MR.pdf
品牌:GaN Systems
年份:23+
封裝:PDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
GS-065-030-2-L-MR是一款增強型硅基氮化鎵功率晶體管。氮化鎵的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。GaN Systems 采用行業(yè)領先的創(chuàng)新技術,如獲得專利的 Island Technology? 單元布局,實現(xiàn)了大電流芯片和高產量。GS-065-030-2-L-MR是底部冷卻型晶體管,結殼熱阻低,適用于要求苛刻的高功率應用。這些特性相結合,可提供極高效率的功率開關。
特性
650 V 增強型功率晶體管
850 V 漏極至源極瞬態(tài)電壓
底部冷卻、8x8 毫米 PDFN 封裝
RDS(on) = 50 mΩ
IDS(max) = 30 A
簡單柵極驅動要求(0 V 至 6 V)
瞬態(tài)容差柵極驅動(-20 / +10 V)
開關頻率極高(> 1 MHz)
快速可控的下降和上升時間
用于優(yōu)化柵極驅動的源檢測 (SS) 引腳
反向導通能力
零反向恢復損耗
符合 RoHS 3 (6+4) 標準
應用
無橋圖騰柱 PFC
消費、工業(yè)和數(shù)據(jù)中心高密度電源
大功率適配器
LED 照明驅動器
家電和工業(yè)電機驅動器
太陽能逆變器
不間斷電源
激光驅動器
無線電力傳輸
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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作為全球氮化鎵功率半導體領導廠商,GaN Systems致力為全球客戶提供業(yè)界最完整且高可靠的氮化鎵功率晶體管產品組合,在電動車、數(shù)據(jù)中心、再生能源、工業(yè)及消費電子等產業(yè),驅動更高效率、高功率密度且更經濟永續(xù)的電源解決方案。GaN Systems提供產品級和系統(tǒng)級一站式解決…
GS-065-060-5-B-A-TR
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