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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

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商品型號(hào):NVB150N65S3F

商品名稱:NVB150N65S3F

數(shù)據(jù)手冊(cè):NVB150N65S3F.PDF

品牌:ON

年份:23+

封裝:TO-263-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號(hào)
NVB150N65S3F
封裝
TO-263-3
描述
表面貼裝型 N 通道 650 V 24A(Tc) 192W D2PAK-3(TO-263-3)

產(chǎn)品描述

NVB150N65S3F是 onsemi 的全新高壓超級(jí)結(jié) (SJ) MOSFET 系列,具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這一先進(jìn)技術(shù)可最大限度地降低傳導(dǎo)損耗,提供卓越的開關(guān)性能,并能承受極高的 dv/dt 率。因此,SUPERFET III MOSFET 非常適合各種電源系統(tǒng)的小型化需求。優(yōu)化了體二極管的反向恢復(fù)性能可去除額外元件,提高系統(tǒng)可靠性。


產(chǎn)品特性

晶體管類型:N 溝道晶體管

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏極至源極電壓 (Vdss): 150 В

25°C 時(shí)的電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 9.3A(Ta),28A(Tc)

電源電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 6V、10V

不同 Id、Vgs 時(shí)的開關(guān)電阻(最大值):9.3A、10V 時(shí)為 17 mOhm

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4 V @ 250 μA

最大 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) 10 V 時(shí)為 42 nK

Vgs(最大值): ±20 V

不同 Vds(最大值)下的輸入電容 (Ciss) 2955 pF @ 75 V

功率耗散(最大值): 3.2 W(Ta 3.2 W (Ta),125 W (Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型:表面貼裝

交貨范圍:8-PQFN (5x6)

封裝/外殼:8-PowerTDFN


應(yīng)用

● 汽車板載充電器

● 用于混合動(dòng)力汽車的汽車 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

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型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IPDQ60R020CFD7

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ON

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ON

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NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

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常見問題

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    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

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    答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

ON

ON

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…

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