商品名稱:NVBLS1D1N08H
數(shù)據(jù)手冊(cè):NVBLS1D1N08H.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-PowerSFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NVBLS1D1N08H MOSFET具有低最大導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))、超低柵極電荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)(功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù) (FOM))。具有基于T6技術(shù)的優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能,與Trench6系列相比,Qg和Qoss降低了35%至40%。安森美半導(dǎo)體Trench8 MOSFET有多種封裝類型可選,實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)靈活性。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):80 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):41A(Ta),351A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.05 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 650μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):166 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):11200 pF @ 40 V
功率耗散(最大值):4.2W(Ta),311W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí):汽車級(jí)
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:8-HPSOF
封裝/外殼:8-PowerSFN
應(yīng)用
● 電動(dòng)工具、電池驅(qū)動(dòng)真空吸塵器
● 無(wú)人機(jī)/無(wú)人駕駛飛機(jī)、材料處理
● BMS/ 存儲(chǔ),家庭自動(dòng)化
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
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NVTFS4823NTWG
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