商品名稱:LC898249AXHTBG
數(shù)據(jù)手冊:LC898249AXHTBG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:WLCSP6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
LC898249AXHTBG是集驅(qū)動器、控制邏輯、霍爾傳感器和 EEPROM 于一體的一體化閉環(huán)自動聚焦驅(qū)動器。該器件增強了霍爾偏移、霍爾線性度和溫度補償功能,適用于現(xiàn)有的大磁偏移(如 Z 軸檢測)。
產(chǎn)品屬性
開關(guān)類型: 通用
輸出數(shù): 1
比率 - 輸入:輸出: 1:1
輸出配置: 高端
輸出類型: N 通道
接口: 開/關(guān)
電壓 - 負載: 0.75V ~ 5.5V
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) :不需要
電流 - 輸出(最大值): 3A
導通電阻(典型值): 12 毫歐
輸入類型: 非反相
特性: 負載釋放,壓擺率受控型
工作溫度: -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
供應商器件封裝: 6-WLCSP(1.4x0.9)
封裝/外殼: 6-UFBGA,WLCSP
特性
集成了霍爾傳感器、EEPROM 的閉合式自動聚焦驅(qū)動器
增強功能
電流驅(qū)動器
應用
自動對焦相機模塊
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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