商品名稱:FF33MR12W1M1HP
數(shù)據(jù)手冊:FF33MR12W1M1HP.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FF33MR12W1M1HP IGBT模塊(帶CoolSiC? MOSFET)具有非常低的雜散電感和出色的效率,因此頻率更高、功率密度更高、冷卻要求更低。1200V、8mΩ半橋模塊采用集成NTC溫度傳感器和PressFIT觸點技術(shù)。xHP_B11型號提供熱界面材料。此系列器件具有0至5V和+15V至+18V的推薦柵極驅(qū)動電壓范圍、+23V或-10V的最大柵極-源極電壓以及17mΩ或33mΩ的漏極-源極電阻選項。集成式安裝夾確保牢固的安裝。
特性
● 同類最佳封裝,尺寸為62.8mm x 33.8mm x 12mm(LxWxH)
● 將先進的WBG材料和簡易模塊封裝結(jié)合在一起
● 模塊雜散電感非常低
● 寬RBSOA
● 1200V CoolSiC MOSFET,采用增強型第一代溝槽技術(shù)
● 擴展的推薦柵極驅(qū)動電壓窗口:0至5V和+15V至+18V
● 擴展的最大柵極-源極電壓:+23V和-10V
● 漏極-源極導通電阻選項:17mΩ或33mΩ
應用
● 高頻開關(guān)應用
● 直流/直流轉(zhuǎn)換器
● UPS系統(tǒng)
● 電機驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應用。電話咨詢:86-755-83294757
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