商品名稱(chēng):PSMN2R0-100SSFJ
數(shù)據(jù)手冊(cè):PSMN2R0-100SSFJ.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:LFPAK88
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
PSMN2R0-100SSFJ NextPower 100 V 標(biāo)準(zhǔn)電平柵極驅(qū)動(dòng) MOSFET。耐溫高達(dá) 175 °C,建議用于工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用。
特性和優(yōu)勢(shì)
低 Qr,可實(shí)現(xiàn)更高的效率和更低的尖峰脈沖
267 安培負(fù)載(最大)連續(xù)額定電流
低 QG x Roson FOM,適用于高效開(kāi)關(guān)應(yīng)用
強(qiáng)大的雪崩能量額定值 (Eas)
雪崩額定值和 100% 測(cè)試
無(wú) Ha 和符合 RoHS 規(guī)范的 LFPAK88 封裝
應(yīng)用
AC-DC 和 DC-DC 中的同步整流器
原邊開(kāi)關(guān)
無(wú)刷直流電機(jī)控制
全橋和半橋應(yīng)用
電池保護(hù)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專(zhuān)業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車(chē)…
NGW75T65H3DFQ
NGW75T65H3DFQ是一款魯棒的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),采用第三代技術(shù)。它結(jié)合了載流子存儲(chǔ)的溝槽柵和場(chǎng)截止(FS)結(jié)構(gòu)。NGW75T65H3DFQ的額定溫度為175C,具有優(yōu)化的IGBT關(guān)斷損耗。其功能和技術(shù)規(guī)格如下:功能集電極電流 (IC) 額定值高達(dá)75A低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗穩(wěn)定且緊密的參數(shù)…PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開(kāi)關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無(wú)關(guān)的快速平穩(wěn)開(kāi)關(guān)…PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開(kāi)關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無(wú)關(guān)的快速平穩(wěn)開(kāi)關(guān)…GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開(kāi)關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212封裝。該器件采用無(wú)引線接合,可優(yōu)化散熱和電氣性能,提供共源共柵配置,無(wú)需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格:FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電…GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET,具有出色的性能。特性:增強(qiáng)模式-常關(guān)電源開(kāi)關(guān)雙向器件超高開(kāi)關(guān)速度能力超低導(dǎo)通電阻符合RoHS指令,無(wú)鉛,符合REACH標(biāo)準(zhǔn)高效率和高功率密…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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