商品名稱:MT41K512M16VRN-107?IT:P
數(shù)據(jù)手冊:MT41K512M16VRN-107?IT P.pdf
品牌:Micron
年份:23+
封裝:96-TFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:8000 件
933MHz集成電路芯片 MT41K512M16VRN-107 IT:P 8Gbit 存儲器IC 96FBGA
MT41K512M16VRN-107 IT:P TwinDie DDR3L SDRAM是一種高速CMOS動態(tài)隨機(jī)存取存儲器設(shè)備,內(nèi)部配置為兩個8組DDR3L SDR AM設(shè)備。
型號 MT41K512M16VRN-107 IT:P
內(nèi)存格式 DRAM
技術(shù) SDRAM-DDR3L
內(nèi)存大小 8Gbit
內(nèi)存組織 512M x 16
內(nèi)存接口 并聯(lián)
時鐘頻率 933 MHz
寫入周期時間-Word,第15ns頁
訪問時間 20 ns
電壓-電源 1.283V~1.45V
工作溫度 -40°C~95°C(TC)
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 96-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 96-FBGA(8x14)
MT41K512M16VRN-107 IT:P DDR3L SDRAM采用雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu),實現(xiàn)高速運行。雙數(shù)據(jù)速率體系結(jié)構(gòu)是一種8n預(yù)取體系結(jié)構(gòu),其接口設(shè)計為在I/O球處每個時鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)字。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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Micron是全球著名的半導(dǎo)體存儲器方案供應(yīng)商。該公司的存儲器方案被應(yīng)用于計算機(jī)及外設(shè)、消費電子、CAD/CAM、通信、辦公室自動化、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)處理、圖形顯示等。公司1978年組建,總部位于美國愛德荷州,有員工約16,000人,擁有全球化的生產(chǎn)、銷售網(wǎng)點。目前主要生產(chǎn)DRAM、…
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