商品名稱(chēng):NVMFS6H824NLT1G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NVMFS6H824NLT1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:5-DFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NVMFS6H824NLT1G是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的汽車(chē)用功率MOSFET,采用小尺寸扁平引線DFN5封裝,實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì)。這些器件具有低QG和電容(最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗)和低 RDS(on)(降低傳導(dǎo)損耗)。還提供可濕性側(cè)翼選項(xiàng),用于增強(qiáng)光學(xué)檢測(cè)。典型應(yīng)用包括開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制、電源開(kāi)關(guān)(高/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半橋等)、48V系統(tǒng)、直流/直流轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開(kāi)關(guān)。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):80 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),110A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 140μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):52 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2900 pF @ 40 V
功率耗散(最大值):3,8W(Ta),116W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼:8-PowerTDFN,5 引線
應(yīng)用
● 開(kāi)關(guān)電源
● 電源開(kāi)關(guān)(高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半橋等)
● 48V系統(tǒng)
● 電機(jī)控制
● 負(fù)載開(kāi)關(guān)
● 直流/直流轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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NVTFS4823NTWG
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