商品名稱：NEH2000BYJ
數(shù)據(jù)手冊：
NEH2000BYJ.pdf
品牌：Nexperia
年份：23+
封裝：HWQFN-16
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
NEH2000BYJ 是適用于低功耗應用的高性能能量采集解決方案。NEH2000BYJ 可采集光電（PV）電池產(chǎn)生的能量。這些能量可為充電電池充電。
NEH2000BYJ 采用塑料 16 端子四扁平封裝，3 mm x 3 mm。
特點和優(yōu)勢
高效率、低功耗直流-直流轉(zhuǎn)換器
采集功率范圍為 35 μW 至 2 mW
先進的 MPPT 技術(shù)可最大限度地提高效率
超快 MPPT 間隔為 0.7 秒
體積小，無需外部電感器
與各種類型的充電電池兼容
應用
無線物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備
智能遙控器
電子貨架標簽
可穿戴設(shè)備
工業(yè)和環(huán)境監(jiān)測
消費電子產(chǎn)品
信標
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安世半導體（中國）有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨立。Nexperia極為重視效率，生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導體元件，每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合，能夠滿足汽車…
PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點零正向和反向恢復降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…
PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點零正向和反向恢復降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…
GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212i倒裝封裝，具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58.5A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，…
GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合，可優(yōu)化散熱和電氣性能，提供共源共柵配置，無需復雜的驅(qū)動器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電…
GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET，具有出色的性能。特性：增強模式－常關(guān)電源開關(guān)雙向器件超高開關(guān)速度能力超低導通電阻符合RoHS指令，無鉛，符合REACH標準高效率和高功率密…
GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ氮化鎵 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化鎵 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常閉電子模式器件，具有出色的性能和非常低的導通電阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平無引線封裝 (VQFN)。特性：增強模式－常關(guān)電源開關(guān)超高頻開關(guān)能力無體二極…電話咨詢：86-755-83294757
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