商品名稱:NTMYS8D0N04CTWG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NTMYS8D0N04CTWG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:LFPAK4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NTMYS8D0N04CTWG 是 40 V、8.1 m、49 A 功率 MOSFET 單 N 溝道晶體管,工業(yè)功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封裝,專為緊湊型高效設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì),具有高散熱性能。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):16A(Ta),49A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):8.1 毫歐 @ 15A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.5V @ 30μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):10 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):625 pF @ 25 V
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),38W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:LFPAK4(5x6)
封裝/外殼:SOT-1023,4-LFPAK
產(chǎn)品特性
小尺寸(5x6 毫米),適合緊湊型設(shè)計(jì)
低 RDS(on),將傳導(dǎo)損耗降至最低
低 QG 和電容,將驅(qū)動(dòng)器損耗降至最低
LFPAK4 封裝,行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
這些器件無(wú)鉛,符合 RoHS 規(guī)范
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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